作為氧化硅薄膜成型的重要工藝方法之一，硅熱氧化工藝是將單質(zhì)硅在高溫下與氧氣或水蒸氣等含氧化性質(zhì)的氣體進(jìn)行氧化反應(yīng)生成二氧化硅的過(guò)程，最終會(huì)在硅片表面形成一層致密的薄膜，為后續(xù)光刻工藝做準(zhǔn)備。那么硅熱氧化工藝危險(xiǎn)有害氣體有哪些呢？一般而言，主要包括氧氣O2和氫氣H2以及滲氯氧化所使用的氯化氫HCL和DCE二氯乙烯C2H2Cl2等，而在現(xiàn)場(chǎng)安裝使用單晶硅氧化工段有害氣體報(bào)警器就是為了對(duì)這些危險(xiǎn)有害氣體進(jìn)行監(jiān)測(cè)，以免發(fā)生危險(xiǎn)。 硅熱氧化工藝是將硅片置于用石英玻璃制成的反應(yīng)管中，反應(yīng)管用電阻絲加熱爐加熱一定溫度(常用的溫度為900～1200℃，在特殊條件下可降到600℃以下)，氧氣或水汽通過(guò)反應(yīng)管（典型的氣流速度為1厘米/秒）時(shí)，在硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，最終生成二氧化硅薄膜。按所用的氧化氣的不同，主要可以分為干氧氧化、水汽氧化、濕氧氧化和摻氯氧化這幾種工藝類(lèi)型。

單晶硅氧化工段硅熱氧化工藝主要類(lèi)型：
1、干氧氧化
干氧氧化化學(xué)反應(yīng)式為 Si+ O2 = SiO2；反應(yīng)氣體中的氧分子以擴(kuò)散的方式穿過(guò)已經(jīng)形成的氧化層，到達(dá)二氧化硅-硅界面，與硅發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)一步生成二氧化硅層。干氧氧化制備的二氧化硅結(jié)構(gòu)致密，厚度均勻，對(duì)于注人和擴(kuò)散的掩蔽能力強(qiáng)，工藝重復(fù)性強(qiáng)，其缺點(diǎn)是生長(zhǎng)速率較慢。這種方法一般用于高質(zhì)量的氧化，如柵介質(zhì)氧化、薄緩沖層氧化，或者在厚層氧化時(shí)用于起始氧化和終止氧化。
2、水汽氧化
水汽氧化化學(xué)反應(yīng)式：2H2O+Si = SiO2+2H2；水汽氧化生長(zhǎng)速率快，但結(jié)構(gòu)疏松，掩蔽能力差，有較多缺陷。對(duì)光刻膠的粘附性較差，所以一般不太推薦使用。
3、濕氧氧化
濕氧氧化化學(xué)反應(yīng)式為H20(水汽) + Si= SiO2 +2H2;在濕氧工藝中，可在氧氣中直接攜帶水汽，也可以通過(guò)氫氣和氧氣反應(yīng)得到水汽，通過(guò)調(diào)節(jié)氫氣或水汽與氧氣的分壓比改變氧化速率。注意，為了確保安全，氫氣與氧氣的比例不得超過(guò)1.88: 1。濕氧氧化由于反應(yīng)氣體中同時(shí)存在氧氣和水汽，而水汽在高溫下將分解為氧化氫 (HO)，氧化氫在氧化硅中的擴(kuò)散速率比氧快得多，所以濕氧氧化速率比干氧氧化速率高約一個(gè)數(shù)量級(jí)。
4、摻氯氧化
除了傳統(tǒng)的干氧氧化和濕氧氧化，還可在氧氣中摻入含氯氣體，如氯化氫(HCL)、二氯乙烯 DCE(C2H2CI2) 或其衍生物，使氧化速率及氧化層質(zhì)量均得到提高。氧化速率提高的主要原因是，摻氯氧化時(shí)，不僅反應(yīng)產(chǎn)物中含有可加速氧化的水汽，而且氯積累在 Si-SiO2界面附近，在有氧的情況下，氯硅化物易轉(zhuǎn)變成氧化硅，可催化氧化。氧化層質(zhì)量改善的主要原因是，氧化層中的氯原子可以鈍化鈉離子的活性，從而減少因設(shè)備、工藝原材料的鈉離子沾污而引入的氧化缺陷。因此，多數(shù)干氧氧化工藝中都有摻氯行為。

單晶硅氧化工段硅熱氧化工藝主要危險(xiǎn)有害氣體：
1、氧氣
氧氣作為空氣中的主要?dú)怏w之一，在常溫常壓狀態(tài)下是一種無(wú)色無(wú)味的氣體，正常情況下在海平面附近的氧氣占空氣含量的比重達(dá)到了約20.9%VOL。以人體安全為基準(zhǔn)，氧氣濃度值最小不得低于19.5%VOL，低于此濃度環(huán)境中的氧氣濃度含量就處于欠氧狀態(tài)，對(duì)人體健康不利；而氧氣濃度的正常最大濃度不得超過(guò)23.5%VOL，高于此濃度值即為富氧狀態(tài)，長(zhǎng)期處于過(guò)氧狀態(tài)下同樣對(duì)人體是不利的，情況嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)?dǎo)致死亡。
2、氫氣
氫氣在常溫常壓狀態(tài)下是一種無(wú)色無(wú)味極易燃燒且難溶于水的氣體，氫氣是發(fā)生爐中煤炭和水發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成的主要?dú)怏w之一，在整個(gè)煤制氫裝置區(qū)內(nèi)氫氣的平均濃度值要明顯高于正常環(huán)境中的H2濃度水平。氫氣屬于極易發(fā)生燃爆的氣體，爆炸極限為4%~75.6%VOL，水煤氣制氫裝置區(qū)內(nèi)環(huán)境空氣中的的氫氣濃度值處于此范圍內(nèi)時(shí)遇明火、電弧、火花、高溫等就會(huì)發(fā)生爆炸。
3、氯化氫
氯化氫對(duì)人體的危害主要是刺激性和腐蝕性，氣態(tài)氯化氫刺激黏膜，可產(chǎn)生鼻中隔潰瘍，刺激眼睛，引起結(jié)膜炎和淺表性角膜炎；皮膚刺激會(huì)引起暫時(shí)的刺激和炎癥。氯化氫的職業(yè)接觸限值MAC為7.5mg/m3，臨界不良健康效應(yīng)為上呼吸道刺激。
4、DCE二氯乙烯
二氯乙烯，又稱(chēng)作DCE、1,2-二氯乙烯、二氯化乙炔，有順?lè)磧煞N異構(gòu)體，在常溫常壓狀態(tài)下是一種具有氯仿氣味的無(wú)色透明液體，具有一定的揮發(fā)性，其揮發(fā)蒸汽既屬于可燃易爆氣體，同時(shí)又屬于對(duì)人體有毒有害的氣體。DCE蒸汽的爆炸極限為9.7%~12.8%VOL，環(huán)境空氣中的二氯乙烯蒸汽濃度處于此范圍內(nèi)時(shí)，遇明火、電弧、高溫、火花就會(huì)發(fā)生爆炸。1,2-二氯乙烯的職業(yè)接觸限值PC-TWA為800mg/m3，臨界不良健康效應(yīng)為中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害、眼及上呼吸道刺激。

以采用進(jìn)口高精度氣體傳感器的ERUN-PG51S6固定在線式有毒有害氣體檢測(cè)報(bào)警儀為例，可以同時(shí)檢測(cè)并顯示氧氣O2、氫氣H2、氯化氫HCL和DCE二氯乙烯C2H2Cl2等氣體的濃度值，超標(biāo)聲光報(bào)警，并聯(lián)鎖自動(dòng)控制排氣風(fēng)機(jī)的啟停，測(cè)量數(shù)據(jù)結(jié)果可通過(guò)分線制4-20 mA模擬信號(hào)量或總線制RS 485（Modbus RTU）數(shù)字量信號(hào)以及無(wú)線模式傳輸，通過(guò)ERUN-PG36E氣體報(bào)警控制器在值班室實(shí)時(shí)顯示有害氣體的濃度值，并相應(yīng)的觸發(fā)報(bào)警動(dòng)作。 單晶硅氧化工段硅熱氧化工藝有害氣體檢測(cè)報(bào)警儀技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào)：ERUN-PG51S6
檢測(cè)氣體：O2、H2、HCL、C2H2Cl2
量程范圍：0～1、10、100、1000、5000、50000ppm、100%LEL、20%、50%、100%Vol可選，其他量程可訂制
分 辨 率：0.001ppm（0-10ppm高精度）/0.01ppm（0～10 ppm）；0.01ppm（0～100 ppm），0.1ppm（0～1000 ppm），1ppm（0～5000 ppm以上）； 0.1%LEL；0.01%、0.001%Vol
方法原理：電化學(xué)、催化燃燒、紅外、半導(dǎo)體、PID光離子等可選
精度誤差：≤±2%F.S.（更高精度可訂制）
顯示方式：報(bào)警器2.5寸彩屏現(xiàn)場(chǎng)顯示濃度值；控制器主機(jī)9寸彩屏值班室顯示濃度值
報(bào)警方式：現(xiàn)場(chǎng)聲光報(bào)警，值班室聲光報(bào)警
數(shù)據(jù)傳輸：4-20mA、RS485，可選無(wú)線傳輸
防護(hù)功能：IP66級(jí)防水防塵
防爆功能：隔爆型，Ex d ⅡC T6 Gb級(jí)防爆

以上就是關(guān)于硅熱氧化工藝危險(xiǎn)有害氣體有哪些的相關(guān)介紹，熱氧化形成的二氧化硅薄膜，因其具有優(yōu)越的電絕緣性和工藝的可行性，在集成電路制造工藝中被廣泛采用，其最重要的用途是作為 MOS 器件結(jié)構(gòu)中的柵介質(zhì)，其他用途還包括器件保護(hù)和隔離、表面鈍化處理、離子注人掩蔽層、擴(kuò)散阻擋層、硅與其他材料之間的緩沖層等。但是在單晶硅氧化工段硅熱氧化工藝過(guò)程中卻存在氧氣O2、氫氣H2、氯化氫HCL和DCE二氯乙烯C2H2Cl2等危險(xiǎn)有害氣體，因此需要在現(xiàn)場(chǎng)安裝使用單晶硅氧化工段有害氣體報(bào)警器來(lái)實(shí)現(xiàn)24小時(shí)不間斷連續(xù)實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)這些有害氣體超標(biāo)聲光報(bào)警并自動(dòng)聯(lián)鎖風(fēng)機(jī)啟停等功能。